中文名称：巯基乙酸修饰壳核型CdTe/CdS量子点
英文名称：TGA-CdTe/CdSQDs
其它别称：巯基乙酸修饰壳核型碲化镉/硫化镉量子点
合成了巯基乙酸(TGA)修饰的壳核型CdTe/CdS量子点(TGA-CdTe/CdSQDs)。利用紫外-可见光谱吸收、荧光光谱研究TGA-CdTe/CdSQDs与盐酸药根碱(JH)的相互作用机理。在pH值为7.4的tris-HCl缓冲溶液介质中,QDs与JH相互作用后使QDs的荧光呈线性猝灭,并有良好的线性关系(r=0.),线性范围0.～10mg/L,检出限(3σ)为3.3×10-3mg/L,因此可以作为一种快速、简便、定量测定盐酸药根碱的新方法。
TGA-CdTe/CdSQDs具有高性能的荧光,当与盐酸药根碱发生作用后,荧光猝灭。其荧光猝灭原因可能是量子点表面的电荷通过一S-CH,C0O-与盐酸药根碱作用而发生电荷转移使量子点荧光猝灭,同时由于量子点外层盐酸药根碱的存在,可能使量子点电子从激发态返回基态时以光能形式释放能量受到障碍,变为非辐射跃迁,也导致量子点荧光的猝灭。由此可见，荧光猝灭的主要原因是量子点与药物之间产生了电荷转移的过程。而吸收图谱此时并未发生明显的变化,并且实验表明,荧光猝灭作用符合Stermn-Volmer和Lineweaver-Burk公式,应当属于动态猝灭作用。其过程如Scheme2所示。
其他量子点：
量子点修饰型铁钴氧化物
硫化镉量子点修饰AIE荧光探针分子
碳量子点修饰黑磷量子点纳米粒子
碳量子点修饰n-n型MFe
TiO2量子点修饰g-C3N4
墨烯量子点修饰聚多巴胺
纳米二氧化钛石墨烯量子点修饰氧空位钨酸铋复合材料
石墨烯量子点修饰氧化锰/氧化钛纳米管阵列
PbS/CdS/ZnS核壳壳量子点修饰TiO纳米棒
碳量子点修饰钨酸铋/氟掺杂氧化锡复合材料
FeO量子点修饰BiOCl/BiVO
Cu2O量子点修饰二氧化钛纳米管
氮化碳量子点修饰石墨烯/氧化锌纳米管阵列
以上资料来自小编axc,.03.18